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CMOS小插曲(一)

CMOS小插曲(一)

作者: 只看你一眼 | 来源:发表于2017-02-25 15:49 被阅读0次

    什么叫CMOS工艺???

    1.CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)互补金属氧化物半导体。是由互补对管PMOS和NMOS构成,具有功耗低,速度快,抗干扰能力强,集成度高等优点。

    2.CMOS工艺有P阱CMOS工艺,N阱CMOS工艺,双阱CMOS工艺。N阱CMOS工艺简单电路性能较优于P阱CMOS工艺。

    3.NMOS写"0"容易,写"1"难;PMOS是写"1"容易,写"0"难。这是为什么呢?其次,在实际电路中我们如何解决这个问题,利用各自优点呢?

    ①先说说问题的解决。在实际电路中,我们会将NMOS和PMOS并联使用。这样就能实现"1"和"0"输入容易的优点。

    ②我们来说说出现上术问题的原因。对于NMOS我们都知道,当栅级增加电压达到阈值电压时,反型层(沟道)形成。这样源级与漏级导通。此时我们在源/漏端输入0电位容易。而当我们在源/漏端输入1电位时,我们知道此时的源/漏端会出现沟道夹断。此时源端与漏端就存在较高阻值。所以不易与输入高电平。同理,PMOS正好相反。

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