1.CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)互补金属氧化物半导体。是由互补对管PMOS和NMOS构成，具有功耗低，速度快，抗干扰能力强，集成度高等优点。
2.CMOS工艺有P阱CMOS工艺，N阱CMOS工艺，双阱CMOS工艺。N阱CMOS工艺简单电路性能较优于P阱CMOS工艺。
3.NMOS写"0"容易，写"1"难；PMOS是写"1"容易，写"0"难。这是为什么呢？其次，在实际电路中我们如何解决这个问题，利用各自优点呢？
①先说说问题的解决。在实际电路中，我们会将NMOS和PMOS并联使用。这样就能实现"1"和"0"输入容易的优点。
②我们来说说出现上术问题的原因。对于NMOS我们都知道，当栅级增加电压达到阈值电压时，反型层（沟道）形成。这样源级与漏级导通。此时我们在源/漏端输入0电位容易。而当我们在源/漏端输入1电位时，我们知道此时的源/漏端会出现沟道夹断。此时源端与漏端就存在较高阻值。所以不易与输入高电平。同理，PMOS正好相反。
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本文标题：CMOS小插曲（一）
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