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半导体与金属接触,能带的变化

半导体与金属接触,能带的变化

作者: Never肥宅 | 来源:发表于2020-04-04 01:05 被阅读0次

    金属功函数:金属内部逸出到表面真空所需最小能量
    半导体功函数:E0与费米能级的差
    电子亲和能 使导带底的电子逸出体外所需最小能量
    WSe2为P型半导体


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    金属 和 n型半导体

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    半导体费米能级高于金属的费米能级


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    接触后,金属和半导体的费米能级相同,半导体的导带电子流向金属
    电荷的流动在半导体表面形成正的空间电荷区(因为电子溜走了嘛)
    那么半导体表面 和内部就会存在电势差,就是表面势Vs
    接触电势差分布在空间电荷区和金属半导体表面间,当紧密接触时主要分布在空间电荷区
    势垒高度为-qVs


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