分立半导体SI2324DS-T1-GE3介绍：
类别：分立半导体产品 晶体管 - FET
制造商 ：Vishay Siliconix
系列： TrenchFET®
包装：带卷（TR）
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） ：2.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） ：234 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） ：10.4nC @ 10V
Vgs（最大值） ：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） ：190pF @ 50V
FET 功能 - 功率耗散（最大值） :1.25W（Ta），2.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 :表面贴装
供应商器件封装 :SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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