3位sar adc采用下图的电容阵列,电路如下图:所有电容的正端(也称为上极板)与比较器的同相端连接,比较器反相端接gnd,其工作过程进行大致分析见之前的文章《一种3位sar adc工作过程推导(二)》,下面对这个电路进行仿真验证。
3bit_adc原理图(二)两个参考电压和,,假设
仿真过程(一):
绘制仿真原理图,设置好参数:Vin=800 mV,VrefP=1.2V,VrefN=0 V,,采用理想开关switch。
image下图为仿真波形图,经过4个步骤,输入电压Vin分别与进行比较,所以Vplus分别为.
- step1:
- step2:
- step3:
- step4:
仿真过程(二):
设置参数:Vin=950 mV,VrefP=1.2V,VrefN=0 .4V,,采用理想开关switch。
下图为仿真波形图,经过4个步骤,输入电压Vin分别与进行比较,所以Vplus分别为.
- step1:
- step2:
- step3:
- step4:
小结
- 当反相输入端为gnd,比较器同相输入电压Vplus的值可能会有负数,所以比较器应该采用pmos作为输入管
- 理想开关也会有很小导通电阻,存在开关损耗,所以开关需要自举开关(自举电路)
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