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LNA设计心得

LNA设计心得

作者: icfg66 | 来源:发表于2021-01-09 10:49 被阅读0次

    一、LNA与一般放大器的区别

    LNA低噪声放大器,顾名思义,它具有输入噪声低的特点。LNA一般用于射频接收机的前端,接收特定频率的小信号,通过放大后进入下一级混频。因此除了放大功能外,LNA有以下几点不同:

    • 输入端含有50欧姆的源负载R_s,需要做输入匹配达到最大的输入功率传输效率
    • 输出端含有50欧姆的负载R_L,需要做输出匹配达到最大的输出功率传输效率
    • 需要对特定频率做选择,内部有电容电感原件
    • 噪声系数NF是重要指标

    设计过程中碰到的难点主要有两个:一、如何确定电路的结构?二、如何调参数满足设计要求。

    二、设计要求

    LNA的工作频率为1.7~1.8GHz,工作电压2.7V,且满足:

    S11(dB) S12(dB) S21(dB) S22(dB) NF(dB) IIP3(dBm) current
    <-10 <-20 >20 <-10 <2 >-10 <10mA

    current表示静态电流要小于10mA,S21就是我们常说的放大增益20dB=10倍。S12表示输出信号对输入信号的干扰,它要越小越好,称为反向隔离度。S11和S22分别为输入输出的反馈系数,也尽量越小越好。噪声系数是所有的输出噪声折合到等效输入噪声和源噪声的比值:
    NF=\frac{\overline{dV_{out}^2}}{A^2 }\frac{1}{4kTR_s}<2dB=1.585
    最后是IIP3,表示3阶效应导致的输出功率和线性放大的输出功率相等时的输入功率,它要大于-10dBm=1mW \times 10^{-10/10}=0.1mW。IIP3越大,表示线性度越好。

    三、结构选择

    查找了很多相关资料,包括Razavi的《RF Microelectronics》 第二版, 迟保勇的《CMOS射频集成电路分析与设计》,要么结构太抽象,要么太复杂。终于在bing上搜到一篇简单入门的计算样例,手把手计算电路参数:Tutorial2_LNAS_TSEK03_Typed

    仿照它的结构,最后确定了自己的电路结构:


    schematic.jpg

    它采用带源极负反馈的cascode结构,该结构不用引入额外的电阻做输入匹配,而是用巧妙利用了电感L_s,L_g和栅电容C_{gs}等无噪声器件,大大减小了噪声系数:

    • C_c为隔直电容,L_gL_s用于匹配输入阻抗R_s=50\Omega
    • L_d,C_L,R_o用于匹配输出阻抗R_L=50\OmegaR_o约等于1k,可适当减小来增大线性度IIP_3
    • M_2是cascode管能够隔离输入输出,增大反向隔离的程度。M_1是放大管,其宽度对lna的性能影响很大。
    • M_3R_f,R_b提供恰当的偏置电压。

    四、参数调节

    仿真采用的NMOS管是老师经过加工后的管子,只能调节管子figure数fin和并联数mul,本质就是调节管子宽度W。调节时的中心频率是1.75GHz。

    需要调节的参数挺多:L_s,L_g,L_d,C_L,R_o,fin,mul,该如何拨云见日,逐步确定这些参数呢?如果不满足设计要求,又该如何微调?它们之间是如何影响的?

    这个问题困扰了我很久,终于在某次等车的得到灵感:其实真正的确定指标的参数只有两个:NMOS的宽度W和流过的电流。这两个参数如果确定,可以通过输入输出匹配确定L_s,L_g,L_d,C_L。如果性能仍有差距,那么可以微调R_o或mul(电流),再重新匹配输入输出阻抗。

    1、fin,mul的确定

    Gmax仿真是与匹配无关的增益,可以扫描栅极偏置电压,确定其值多大的时候能达到平缓的增益平台和小于10mA的电流。

    1_Gmax.jpg
    上图是fin=6,mul=12时,扫描M1栅极电压得到的G_{max}和静态电流曲线。可以看出,当偏置电压为1.2V时,增益G_{max}=20dB,I_d=6.3mA,满足设计要求。

    2、L_s,L_g的确定

    接下来通过史密斯圆图的方法做输入的阻抗匹配。

    先让lg(如0.1n)很小,扫ls,让其经过模50欧姆的阻抗圆,取交点处的电感值0.8n。

    3_s11a.jpg

    令ls为0.8n,再扫lg,让其经过50欧姆的中心点,取交点处的电感值24.8n。

    3_s11b.jpg

    图中的曲线没有经过中心点,需要微调ls,当lg=1.05n时经过中心点,lg=24.8n

    3_s11c.jpg

    3、L_d,C_L的确定

    先让cl(如100p)很大,扫ld,让其经过模50欧姆的阻抗圆,取交点处的电感值19.4n。

    3_s22a.jpg

    令ld=19.4n再扫cl,让其经过50欧姆的中心点,取交点处的电容0.328p。必要的时候还需要微调ld。


    3_s22b.jpg

    4、IIP3调节

    阻抗匹配好之后,S11、S12、S21、S22、NF的要求基本能满足,但IIP3令人头疼:


    3_iip3.jpg

    图中的IIP3为-15dBm,小于-10dBm,不达标。

    经过艰难的探索,发现可以适当减小Ro至700欧姆,重新调整输出阻抗匹配,得到符合指标的LNA。

    4_lna_cell.jpg

    五、仿真结果

    1、DC直流工作点

    3_dc.png
    总电流为7.3mA<10mA,放大管偏置电压V_g=1.20V,饱和电压V_{dsat}=0.28V

    最终的各性能曲线如下:


    3_sxxiip3.jpg
    参数 指标要求 仿真数值
    工作频率 1.7-1.8GHz 1.75GHz
    S11 <-10dB -32.3dB
    S12 <-20dB -37.0dB
    S21 >20dB 20.5dB
    S22 <-10dB -14.7dB
    NF <2dB 0.823dB
    IIP3 >-10dBm -9.5dBm

    六、回顾

    射频是这学期最费心力的课,不像模大可以找到手把手推导的资料,需要有摸索的过程,颇有“山重水复疑无路,柳暗花明又一村”的感觉。

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