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15.高斯定理 BY景雅菲

15.高斯定理 BY景雅菲

作者: JYF1104 | 来源:发表于2019-05-19 10:10 被阅读0次

平面、球、圆柱带电体的场强:高斯定理

知识点


  • 电通量(ΦE)
    表征电场分布情况的物理量
    电场的通量与穿过一个曲面的电场线的数目成正比
    \Phi_e=\vec{E}\cdot\vec{S}=ES\cos\theta
  • 高斯定理

    • 高斯面
      高斯面是高斯定理中的任一闭合曲面,指真空中的任何静电场中,穿过任一闭合曲面的电通量

    • 矢量积分转化为标量积分
      \oint\vec{E}_{\text{内外和}}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}}
      --高斯面的场强是由高斯面内外电荷共同产生的,因此,面内无电荷时,面上的场强不一定为0,面上的场强为0,也不一定说明面内无场强。

  • 平面对称的电场

  • 球对称带电体的电场

    • (a)做通过某场点的同心球面作为高斯面,随后将对该面应用高斯定理:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}}

    • (b)公式中Q_{\text{内}}是指的这个高斯面所包围的体积内部的总电量。一定要想清楚电荷到底是如何分布的。在复杂的问题中,往往需要借助电荷密度来求解。

    • (c) 设该场点的电场强度,大小为E,则该面的电通量必然为E\cdot4\pi r^{2},其中4\pi r^{2}是高斯球面的面积。

    • (d)于是得到核心方程:E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}},解出E 即可。

  • 轴对称带电体的电场

    • (a)通过该场点做同轴圆柱作为高斯面,随后将对该面应用高斯定理:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}}
    • (b)公式中Q_{\text{内}}是指的这个高斯面所包围的体积内部的总电量。一定要想清楚电荷到底是如何分布的。在复杂的问题中,往往需要借助电荷密度来求解。
    • (c) 设该场点的电场强度,大小为E,则该面的电通量必然为E\cdot2\pi rh,其中2\pi rh是高斯面(圆柱)的侧面积。
    • (d)于是得到核心方程:E\cdot2\pi rh=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}},解出E 即可。

表达题


  • 一个非闭合面的电通量,其直观物理意义是贯穿某个面(比如一张纸,一面是红色,一面是黑色)的电场线的条数。注意,这里的贯穿,是指的从一面红色,从黑色穿出;即:电场线必须跟那张纸发生“交叉”,而不能是平行。则在匀强电场(E)中,如图所示的半径为R,高度为H的半圆筒,圆筒的轴线与电场线平行。则其电通量为( )

解答:0.

  • 一个闭合面的电通量,其直观物理意义是穿出、穿入它的电场线的次数。注意,穿出为正贡献、穿入为负贡献。则如图所示,,则其电通量为( )

解答:0.

  • 匀强电场中,平面的电通量的计算式为:

\Phi_e=\vec{E}\cdot\vec{S}=ES\sin\theta

  • 电通量的积分表达式为:

\Phi_e=\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}

  • 高斯定理的公式是\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}。如图所示有三个点电荷,分别为q_{1},q_{2},q_{3}。我们画一个封闭的曲面,将q_{1},q_{2}围在里面,而让q_{3}呆在该封闭曲面的外围。在此情形下,请分析高斯定理中的各项。

解答:封闭曲面的通量跟\color{blue}{内部电荷}有关,跟\color{blue}{外电荷}无关。
Q=q_1+q_2
根据场强叠加原理,任一点的\vec{E}​\color{blue}{内外电荷}\color{red}{都}有关。


  • 所有无限大的均匀带电的平面或平板,以及由它们彼此平行合成的各种组合体,均简称“平面带电体”。画图描述这类带电体的场强特征:
解答:场强具有对称性。 1..jpg
  • 任何无限大均匀带电平板,做图示的高斯面,则其通量\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}计算出来必然为

解答:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=2E\Delta S

  • “平板带电体”求电场\vec{E}的思路是:(a)通过某场点,在平板两边对称地做一个圆柱型表面作为高斯面,随后将对该面应用高斯定理:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}}
    (b)公式中Q_{\text{内}} 指的这个高斯面所包围的体积内部的总电量。一定要想清楚电荷到底是如何分布的。在复杂的问题中,往往需要借助电荷密度来求解。
    (c) 设该场点的电场强度,大小为E,则该面的电通量必然为2ES,其中S是圆柱型表面的底面积。
    (d)于是得到核心方程:2ES=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}},解出E 即可。
    现在有一个均匀带电的平板,电量体密度为\rho,平板的厚度是D。我们想求出该平板外部,距离中心为x处的场点的电场(x>D/2)。我们过该点,做图示的高斯面。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:

解答:2E\Delta S=\frac{\rho D}{\varepsilon_0}\Delta S

  • 现在有一个均匀带电的平板,电量体密度为\rho,平板的厚度是D。我们想求出该平板内部,距离中心为x处的场点的电场(x<D/2)。我们过该点,做图示的高斯面。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:

解答:2E\Delta S=\frac{\rho 2x}{\varepsilon_0}\Delta S

  • 无限大均匀带电平面,电荷面密度为\sigma,则其电场为

解答:E=\frac{\sigma}{2\varepsilon_0}

2.jpg
  • 组合带电体的场强请用叠加原理。考虑如图的“组合带电体”:由一个平面(电荷面密度\sigma)和一个平板(电荷体密度\rho)进行平行组合而成。则P点的场强为( )

解答:E=E_1+E_2=\frac{\rho D}{2\varepsilon_0}+\frac{\sigma}{2\varepsilon_0}


  • 所有均匀带电的球体,球壳,球面,以及由它们合成的各种“同心”组合体,均叫做“球对称带电体”。请画图表示这类带电体的场强特征

提示:距离球心为r的各点,场强的大小都相等,并且方向一定在径向(球心——场点连线方向)上。

  • 某半径为R的均匀带电实心球体,设某场点到球心的距离是r,场强的大小是E。现在做半径为r的虚拟球面(高斯面),则该面的电通量\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}为( )

解答:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=4\pi R^2E

  • 现在有一个均匀带电的球壳,总电量为Q,球壳的半径是R,球壳厚度可以忽略。我们想求出该球壳内部,距离球心为rM处的电场(r<R)。我们过该点,做半径为r 的同心球面作为高斯面。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:
    (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
    (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}
    (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
    (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr}{\epsilon_{0}R}
    解出电场来,观察其规律可能为:(请理解、归纳、记忆)
    (5) 均匀带电的薄球壳,内部场强为零。
    (6) 均匀带电的薄球壳,内部场强不为零。
    进而借助叠加原理思考:有厚度的空心带电球体,空腔里的场强为
    (7) 零。
    (8) 不一定。
    则正确的是( )

解答:(1)(5)(7)

  • 现在有一个均匀带电的球壳,总电量为Q,球壳的半径是R,球壳厚度可以忽略。我们想求出该球壳外部,距离球心为rN处的电场(r>R)。我们过该点,做半径为r的同心球面作为高斯面。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:
    (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}
    (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
    (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
    (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr}{\epsilon_{0}R}
    解出电场来,观察其规律可能为:(请理解、归纳、记忆):均匀带电薄球壳的外部场强,( )等效为球心处放一个等电量的点电荷所产生的电场。
    (5) 能
    (6) 不能
    进而借助叠加原理思考:有厚度的空心带电球体,球外的场强,( )等效为球心处放一个等电量的点电荷所产生的电场。
    (7) 能
    (8) 不能。
    则正确的是( )

解答:(1)(5)(7)

  • 现在有一个均匀带电的球体,总电量为Q,球的半径是R。我们想求出该球体外部,距离球心为rN 处的电场(r>R)。我们过该点,做半径为r的同心球面作为高斯面。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:
    (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}
    (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
    (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
    (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr}{\epsilon_{0}R}
    解出电场来,观察其规律可能为:(请理解、归纳、记忆)
    (5) 均匀带电球体的外部场强,等效为球心处放一个等电量的点电荷所产生的电场。

    (6) 均匀带电球体的外部场强,不等效为球心处放一个等电量的点电荷所产生的电场。

    则正确的是( )

解答:(1)(5)

  • 现在有一个均匀带电的球体,总电量为Q,球的半径是R。我们想求出该球体内部,距离球心为rM处的电场(r<R)。我们过该点,做半径为r的同心球面作为高斯面。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:
    (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q_{\text{内}}}{\epsilon_{0}}, with Q_{\text{内}}=\frac{Q}{\frac{4}{3}\pi R^{3}}\cdot\frac{4}{3}\pi r^{3}=Q\cdot(\frac{r}{R})^{3}
    (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
    (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{4r^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
    (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{4r}{\epsilon_{0}R}
    结合以上求解过程知,均匀带电球体内部某场点的场强,可等效为( _ )集中到球心时产生的电场。<font color=""#FF0000"">(请理解、归纳、记忆)</font>
    (5) 所有电荷。
    (6) 高斯面内所有电荷。
    则正确的是( )

解答:(1)(6)

  • 组合带电体的场强请用叠加原理。在上面几道题中,我们总结归纳了几条直观经验,具体地:
    (1) 均匀带电的薄球壳,内部场强为零。
    (2) 均匀带电薄球壳的外部场强,等效为球心处放一个等电量的点电荷所产生的电场。
    (3) 均匀带电球体的外部场强,等效为球心处放一个等电量的点电荷所产生的电场。
    (4)均匀带电球体的内部某场点的场强,可等效为高斯面内所有电荷集中到球心时产生的电场。
    结合以上四点,考虑如图的“组合带电体”:由一个实心带电球体和一个空心带电球壳进行同心组合而成。其中,实心球体电量为Q_{1},球壳电量为Q_{2}。应用点电荷公式和叠加原理,得带电体外部场点M处的电场大小为:

解答:E=\frac{Q_1+Q_2}{\epsilon_{0}4\pi r^2}

  • 结合以上四点,考虑如图的“组合带电体”:由一个实心带电球体和一个空心带电球壳进行同心组合而成。其中,实心球体电量为Q_{1},球壳电量为Q_{2}。应用点电荷公式和叠加原理,得空腔中场点P处电场大小为:

解答:E=\frac{Q_1-Q_2}{\epsilon_{0}4\pi r^2}

  • 如图的“组合带电体”:由一个实心带电球体和一个空心带电球壳进行同心组合而成。其中,实心球体电量为Q_{1},球壳电量为Q_{2}。应用点电荷公式和叠加原理,得球内部场点N处的场强电场大小为E为:
解答: 4.jpg

  • 所有无限长、均匀带电的细杆、空心圆筒、实心圆柱,以及由它们合成的各种“同轴”组合体,均叫做“圆柱型带电体”。请图示这类带电体的场强特征。

提示:距离轴线为r的各点,场强的大小都相等,并且方向一定与轴线垂直。

3.jpg
5.jpg
  • 某圆柱型带电体(红色),设某场点到轴线的距离是r,场强的大小是E。现在过该场点做一个高度为h的虚拟圆柱(蓝色,高斯面),则该面的电通量\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}为:( )

解答:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=2\pi rhE

  • 现在有一个无限长、均匀带电的细棒,电荷线密度为\lambda。我们想求出距离轴线(即细棒的中心线)为rM处的电场。我们过该点,做高度为h的同轴圆柱。设该点电场大小为E,则核心方程可能为:

解答:E=2\pi rh \lambda

  • 现在有一个无限长、均匀带电、半径为R的圆柱体,电荷体密度为\rho。我们想求出带电体外部、距离轴线(即圆柱的中心线)为rM处的电场(r>R)。我们过该点,做高度为h的同轴圆柱面。设该点电场大小为E,则核心方程为:

解答:2\pi rhE=\frac{\pi R^2h\rho}{\epsilon_0}

  • 现在有一个无限长、均匀带电、半径为R的圆柱体,电荷体密度为\rho。我们想求出圆柱带电体内部、距离轴线(即圆柱的中心线)为rM处的电场(r<R)。我们过该点,做高度为h的同轴圆柱。设该点电场大小为E,则核心方程为:

解答:2\pi rhE=\frac{\pi r^2h\rho}{\epsilon_0}


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