Lecture 7

3.3 DRAM 存储器

3.3.1 DRAM存储元的记忆原理

3.3.2 DRAM芯片的逻辑原理

3.3.3 读/写周期、刷新周期

刷新操作分为：

1. 集中式刷新
2. 分散式刷新

3.3.4 存储器容量的扩充

1. 字长位数扩展

• 地址线和控制线公用
• 数据线单独分开连接

2. 字存储容量扩展

• 地址总线、数据总线公用
• 控制总线中公用，使能端EN不公用，

3. 字、位同时扩展法
   

例：P101.3

3.4 只读存储器和闪速存储器

3.4.1 只读存储器ROM

3.4.2 闪速存储器FLASH