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要想造个芯片，首先，你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry。
foundry是铸造厂的意思，是外包的晶圆制造公司。
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再放大
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cool！我们终于看到一个门电路啦。这是一个NAND Gate（与非门），大概是这样的。
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A,B是输入，Y是输出。
其中蓝色的是金属1层，绿色是金属2层，紫色是金属3层，粉色是金属4层...
那么晶体管呢？注意，说的是晶体管，但是199X年以后，主要是mosfet了，就是场效应管了。
仔细看图，看到里面那些白色的点么？那是衬底。
还有一些绿色的边框？那些是active layer（也就是掺杂层）
foundry是怎么做的呢？
大体上可以分为以下几步。
首先搞到一块圆圆的硅晶圆，就是一大块晶体硅，然后打磨得很光滑，一般是圆的。
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湿洗，就是用各种化学试剂，保持硅晶圆表面没有杂质。
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光刻
用紫外线，透过蒙版，照射硅晶圆，被照射到的地方，就会容易被洗掉，没有被照射到的地方，就保持原来的样子。
- 离子注入
在硅晶圆，不同的位置，加入不同的杂质。
不同的杂质，根据浓度\位置的不同，就组成了场效应管。
4.1 蚀刻
干蚀刻：之前用光刻出来的形状，其实又很多不是我们需要的，而是为了离子注入而蚀刻的。
现在就要用【离子体】把他们清洗掉，或者是一些，在第一步光刻，先不需要刻出来的结构，这一步进行蚀刻。
湿蚀刻：进一步洗掉，但是用的是试剂，所以叫湿蚀刻。
上面的步骤做完之后，场效应管，就已经被做出来了。
但是以上步骤，一般都不止做一次，很可能需要反反复复地做，以达到要求。
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等离子冲洗，用较弱的等离子束，轰击整个芯片
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热处理，其中又分为
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快速热退火：就是瞬间把整个片子，通过大功率灯啥的，照到1200摄氏度以上，
然后慢慢冷却下来，为了让注入的离子，能更好地被启动、被热氧化。
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退火
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热氧化：制造二氧化硅，也就是场效应管的栅极（gate）
7 化学气相淀积（CVD）：进一步精细处理表面的各种物质
8 物理气相淀积（PVD）：类似，而且可以给敏感部件加coating
9 分子束外延（MBE）：如果需要长单晶的话，就需要这个
10 电镀处理
11 化学/机械表面处理，然后芯片就差不多了，
12 晶圆测试
13 晶圆打磨
就可以出厂封装了。
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